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PSHI 1522
发表于:2018-03-22 11:16 分享至:
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双通道大功率IGBT 驱动核


主要参数(Ta=25℃ )
VS 供电电源电压+15 V
P 隔离电源总功率6 W
Visol 隔离电压(1 minute. AC) 5 kV
VCES IGBT 集电极- 发射极电压1700 V
IoutAV 每通道平均电流100 mA
IoutPEAK 每通道峰值电流±15 A
Qout/pulse 每脉冲输出电荷±10 μC
VG(ON/OFF) 门极电压+15/-9 V
dv/dt 电压变化率75 kV/μS
td(I/O) 信号转换延时350 nS
tmd 窄脉冲抑制100 nS
td(err) 故障响应延时110 nS
fSW Max. 最高频率100 kHz

特点

●集成DC/DC 隔离电源
●纳米晶变压器隔离
●动态监测VCEsat 提供短路( 过流) ?;?/div>
●欠压毙禄使谔逵?皇冠体育app;ぜ懊偶缪辜嗫?/div>
●故障“软关断”及动态尖峰抑制
●集成互锁及死区
● 0--100% 占空比
●表面爬电距离38mm

应用

桥式电路
变频器
逆变器
感应加热
EV
APF
SVG
高频电源


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